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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 3A, 2.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-PMCP |
| Package / Case | 3-SMD, Non-Standard |
FK3P02110L 是由 松下 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N CH 24V 3A PMCP。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V。
FK3P02110L 共有 14 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(20mOhm @ 3A, 2.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(1.4V @ 1mA)、Vgs (Max)(±12V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1500 pF @ 10 V)、Operating Temperature(150°C (TJ)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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