STGW35NB60SD 意法半導(dǎo)體單 IGBT

STGW35NB60SD 意法半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

STGW35NB60SD 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 70A 200W TO247。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 70 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A、Power - Max: 200 W。

STGW35NB60SD 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（840μJ (on), 7.4mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（83 nC）、Td (on/off) @ 25°C（92ns/1.1μs）、Test Condition（480V, 20A, 100Ohm, 15V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨(dú)立的半導(dǎo)體公司，是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識(shí)、制造實(shí)力、知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動(dòng)當(dāng)今的融合趨勢(shì)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

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