RGT50TS65DGC11 羅姆半導(dǎo)體單 IGBT

RGT50TS65DGC11 羅姆半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

RGT50TS65DGC11 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT TRNCH FIELD 650V 48A TO247N。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 48 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A。

RGT50TS65DGC11 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（174 W）、Input Type（Standard）、Gate Charge（49 nC）、Td (on/off) @ 25°C（27ns/88ns）、Test Condition（400V, 25A, 10Ohm, 15V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計(jì)算機(jī)、汽車和消費(fèi)電子市場(chǎng)。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。

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