
STGB20N45LZAG 意法半導體單 IGBT
意法半導體 STGB20N45LZAG 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Power - Max | 150 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Logic |
| Gate Charge | 26 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 1.1μs/4.6μs |
| Test Condition | 300V, 10A, 1kOhm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
STGB20N45LZAG 意法半導體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
STGB20N45LZAG 是由 意法半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。POWER TRANSISTORS。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V、Current - Collector (Ic) (Max): 25 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A、Power - Max: 150 W。
STGB20N45LZAG 共有 14 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Input Type(Logic)、Gate Charge(26 nC)、Td (on/off) @ 25°C(1.1μs/4.6μs)、Test Condition(300V, 10A, 1kOhm, 5V)、Operating Temperature(-55°C ~ 175°C (TJ)) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體:意法半導體是一家全球獨立的半導體公司,是開發(fā)和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產權(IP)組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關系,使其在系統(tǒng)級芯片(SoC)技術的前沿占據(jù)領先地位,其產品在推動當今的融合趨勢中發(fā)揮著關鍵作用。
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